高娟，博士，教授，光电系统与控制专业硕士生导师，安徽省真空学会副理事长，国家自然科学基金委网络评审专家，安徽省科技项目评审专家，教育部学位中心学位论文评审专家，《Rare Metals》期刊青年编委，现任永利总站ylzz55常务副院长。
主要从事光电功能薄膜材料可控合成、超薄栅与高迁移率沟道材料的界面控制及MOS器件构筑等相关领域的研究。在high-k栅极材料的制备、界面物性和高迁移率MOS器件构筑等方面取得较好成果，以第一作者和通讯作者在J. Mater. Chem. C、J. Mater. Sci. Tech.、Appl. Sur. Sci.、J. Chem. Phys.等国内外主流期刊上发表论文20余篇。主持国家自然科学基金青年基金1项、安徽省自然基金面上基金1项、高校优秀青年骨干人才项目1项。并以主要参与人完成国家自然科学基金3项，参与完成多项省部级科研项目。Ceram. Inter., J. Alloy Compd., IONICS等国际期刊审稿人。
研究方向：1.新型high-k栅与高迁移率沟道材料的集成及性能研究；
2.低维纳米结构的控制生长及原理研究；
3.光催化材料的制备及性能研究。
联系方式：gaojuanphys@126.com
教育学习背景：
2014.9-2018.6 安徽大学，物理与材料科学学院，材料科学与工程博士；
2004.9-2007.7 复旦大学，现代物理研究所,原子与分子物理硕士；
1998.9-2002.7 安徽师范大学，物理系，物理学教育本科。
近五年发表部分论文：
1. J. Gao,et al, Multifunctional TiO2/g-C3N4/Ag nanorod array film as a powerful substrate for surface-enhanced Raman scattering detection and green degradation, Ceram. Inter., 49 (2023) 13548–13558.
2. J.L. Deng, J.Gao(通讯), et al, Construction of Z-scheme TiO2/Ag/ZIF-8 nanorod array film with boosting photocatalytic and photoelectrochemical properties, J. Alloy Compd., 932 (2023) 167680.
3. J.L. Deng, J.Gao(通讯), et al, SnS Nanoparticles and MoS2 Nanosheets Co-Decorated TiO2 Nanorod Film with Remarkable Photocatalytic and Photoelectrochemical Properties, J. Electro. Soc., 169(2022)56513.
4. L. Zheng, X. Sun, R. Zhang, J. Gao*(通讯), Enhanced photocatalytic performance of ammonia self-etched holely g-c3n4 decorated with anatase nanoflakes by a facile synthesis process. Appl. Surf. Sci., 542(2021), 148580.
5. Y.F. Wang, J. Gao*(通讯), Facile fabrication of zno nanorods modified fe 3 o 4 nanoparticles with enhanced magnetic, photoelectrochemical and photocatalytic properties. Opt. Mater., 111(2020) 110608.
6. J. Gao, et al., Ultrathin Al2O3 passivation layer-wrapped Ag@TiO2 nanorods by atomic layer deposition for enhanced photoelectrochemical performance, Appl. Surf. Sci. 499 (2020) 143971.
7. D. Wang, G. He, H. Lin, J. Gao*(通讯), and M. Zhang, Comparative passivation effect of ALD-driven HfO2 and Al2O3 buffer layers on the interface chemistry and electrical characteristics of Dy-based gate dielectrics, J. Mater. Chem. C, 7 (2019) 1955-1965.
8. J. Gao, et al., Comparative study on in-situ surface cleaning effect of intrinsic oxide covering GaAs surface using TMA precursor and Al2O3 buffer layer for HfGdO gate dielectrics, J. Mater. Chem. C, 6 (2018) 2546-2555.
